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本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d0铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外，在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜，其光学带隙及磁性随着氧氩流量比的增大呈非单调变化。当氧氩流量比达到15∶15时导电类型由n型转变为p型。结构、光、电、磁特性的一致变化表明氧空位和铟空位分别在n型和p型导电区域对调节铁磁性起重要作用。