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采用Ｘ－射线衍射，扫描电镜（ＳＥＭ），热分析（ＴＡ）以及力学和电学性能测试，对铈钯及其类金属锑（ＶＡ族），锡（ＩＶＡ族），铟（ⅢＡ族）的化合物进行了结构和部分性能的研究。结果表明，钯铈合金在较宽范围均易生成十分稳定的Ｃｕ〈，３〉Ａｕ型化合物Ｐｄ〈，３〉Ｃｅ；用锤砧法在１０〈’６〉Ｋ／ｓｅｃ冷却速率下对包括添加各种类金属的钯铈合金进行高速淬火仍不能形成非晶结构。采用真空蒸镀法在高铝（Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉）陶瓷基片上获得了附着力极强的致密薄膜。从Ｐｄ〈，３〉Ｃｅ显现出来突出的高电阻率、高硬度、低接触电阻以及负电阻温度系数的特殊性能，为微电子技术应用的高阻二维材料提供了又一方面的可能性。