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湖泊沉积物中有机质的降解和微生物的作用
【出 处】
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中国矿物岩石地球化学学会第十届学术年会论文集
【发表日期】
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2005年04期
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随着工艺尺寸的不断缩小以及新结构新工艺的发展，深亚微米器件也更加容易受到静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)冲击而导致失效，从而造成电路可靠性下降。栅接地NMOS（Gate Grounded NMOS，GGNMOS）作为CMOS技术中ESD保护器件的有效结构之一，具有泄放机理简单且与CMOS工艺完全兼容等一系列优点，已被广泛应用于ESD保护电路中。但在先进深亚微米CM
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