【摘 要】
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目前对MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN异质结的研究较多,本文通过理论计算,对比了MgZnO/C-aN、MgznO/ZnO和AlGaN/CraN异质结界面的2DEG浓度,结果表明MgZnO/GaN界面处2DEG浓度大于MgZnO
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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目前对MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN异质结的研究较多,本文通过理论计算,对比了MgZnO/C-aN、MgznO/ZnO和AlGaN/CraN异质结界面的2DEG浓度,结果表明MgZnO/GaN界面处2DEG浓度大于MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN两种异质结。进一步的计算了MgZnO/GaN中不同Mg组分时MgZnO的临界厚度,讨论了MgZnO/GraN异质结MgZnO势垒层厚度和Mg组分的选取,得出控制Mg组分大约0.3,MgZnO厚度30nm以下的结论。
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