采用铜—聚酰亚胺薄膜多层基板的高速多芯片组件封装技术研究

来源 :中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caritasSD

【摘要】

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本文介绍了一种具有铜—聚酰亚胺薄膜多层基板的多芯片组件(MCM),它克服了高频下传输线损耗增大、噪声较低以及大量LSI芯片的开关噪声增大的问题.导体设计成10μm厚、25μm宽

【作者】

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李萍;何小琦;

【机构】

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信息产业部电子五所(广州)

【出处】

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中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会

【发表日期】

：

2002年期

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本文介绍了一种具有铜—聚酰亚胺薄膜多层基板的多芯片组件(MCM),它克服了高频下传输线损耗增大、噪声较低以及大量LSI芯片的开关噪声增大的问题.导体设计成10μm厚、25μm宽,使得高速脉冲能以几个Gb/s的速率传输,而维持交调噪声低达-30dB.在陶瓷衬底中形成电流回路的电源层与接地层之间的介质厚度设计为50μm,从而产生了较低的有效电感.

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