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存在于表面或界面体系的Rashba自旋轨道耦合作用在全电学自旋调控方面有重要的研究与应用价值。半导体异质结和金属表面是研究Rashba自旋轨道耦合效应的两类重要体系。目前实验方面已经证实半导体异质结界面处Rashba自旋轨道耦合强度可通过栅极电压调控。
金属表面Rashba自旋轨道作用的电场调控
【摘 要】
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存在于表面或界面体系的Rashba自旋轨道耦合作用在全电学自旋调控方面有重要的研究与应用价值。半导体异质结和金属表面是研究Rashba自旋轨道耦合效应的两类重要体系。目前实验方面已经证实半导体异质结界面处Rashba自旋轨道耦合强度可通过栅极电压调控。
【机 构】
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华东师范大学上海市东川路500号 200241
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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