【摘 要】
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GaN-on-Si电力电子器件是目前GaN材料一个新的应用热点,受到学术界和工业界的广泛关注.在大量来自工业界和政府的资金驱动下,如imec的工业界合作项目和美国的下一代电力电子创新研究院等,使得目前GaN-on-Si技术已经得到了长足的发展,学术界也发表了大量的振奋人心的结果.
【机 构】
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苏州晶湛半导体有限公司,苏州工业园区, 215124
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GaN-on-Si电力电子器件是目前GaN材料一个新的应用热点,受到学术界和工业界的广泛关注.在大量来自工业界和政府的资金驱动下,如imec的工业界合作项目和美国的下一代电力电子创新研究院等,使得目前GaN-on-Si技术已经得到了长足的发展,学术界也发表了大量的振奋人心的结果.
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近年来,由于在缓冲层中插入n-InGaN/GaN超晶格能够有效缓解LED有源区的应力,该方法从而成为大家提高LED发光强度的手段之一.目前为止,超晶格的结构参数包括周期和阱宽垒厚等对LED发光强度的影响均进行过研究.而本论文的目的则是研究n-InGaN/GaN恒温超晶格周期数和GaN垒中Si掺杂浓度对芯片IR良率的影响.
为了提高性价比,GaN基蓝光LED必须在更小的管芯上实现更高的光效.广泛应用的正装同侧电极LED由于正负电极在同一侧,电流扩展较差,并且随着管芯尺寸的减小,电流密度增大,电流的扩展会更加困难.因此增强电流扩展,以提高发光亮度和降低工作电压是提高GaN基LED光效的重要途径.本工作研究了GaN Buffer和3D层的掺Si对在蓝宝石衬底上生长的GaN基蓝光LED电流扩展的影响.实验结果表明Buffe
Device performance a nd relia bility of conventional Schottky-gate AlGaN/GaN hi gh el ectron mobility transistor(HEMT) are 1 argely im paired b y big h gate lea kage current[1,2] at hi gh frequencies,
由于GaN基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高和耐高温能力强等优良特性,GaN场效应晶体管(如HEMT)比Si功率MOS场效应晶体管击穿电压更高、开关速度更快、开关损耗更小、工作温度更高,非常适合于功率电子器件应用.
随着半导体功率器件和封装产业的蓬勃发展,半导体器件朝着大功率、小尺寸、高速度及散热性更好的方向发展.其中,提高散热性能最重要的途径是降低封装热阻.半导体热阻结构测量与分析技术可有效测量半导体器件在热传导路径上各个结构的热学性能参数和热阻信息,从而准确找出封装工艺的缺陷或薄弱环节,对半导体器件封装技术的改良和工艺质量控制发挥重要的指导作用.
近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器件性能的进一步提高,同质外延技术的研究显得尤为重要[3]。本文研究了在MOCVD系统中高温原位刻蚀技术对GaN同质外延生长的影响。在高温条件下,H2+NH3混合气体对GaN
传统的增光技术采用表面增透膜、表面粗化以及metal bonding硅基板技术都遇到在提升亮度的瓶颈,为了拓展AlGaInP系光电器件的发展,本文主要介绍ITO与AlGaInP组合技术及其优越性.掺锡氧化铟(即Indium Tin Oxide,简称ITO)材料是一种n型半导体材料,由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性,因此在光电器件领域中的应用潜力具大,在蓝光LED领域I
AlGaN材料的禁带宽度可以在3.39eV和6.2eV之间变化,对应的光吸收波长为200nm～365nm,并且,纤锌矿结构的AlGaN材料在全组分范围内均为直接带隙半导体,化学性质比较稳定,因此在紫外发光二极管和紫外探测器中有广泛应用[1-3].本文采用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上外延生长了Mg掺杂AlGaN材料,并在N2气氛下进行了退火激活.
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