本工作中,通过wxAMPS模拟了CIGS太阳电池中施主缺陷钝化的影响。近界面面浅施主和体施主缺陷的缺陷态密度和位置分布对太阳电池特性的变化被研究。结果 表明,高的界面浅施主缺陷态密度的减少了开路电压,与之相反,低的近界面缺陷态密度有着更高的开路电压和短路电流密度。然而其很容易导致CdS带阶增加,增加载流子的复合,从而引起填充因子的下降。对于在吸收层中体施主缺陷的钝化,CIGS电池的特性更依赖于缺陷
目前随着人口增加和生活习惯的改变,全球能源需求急剧增加.而传统能源消费模式,主要以石油、炭和天然气为主；由此产生了诸多的环境问题,如雾霾,水污染,酸雨等.随着化石能源的枯竭,寻求洁净、可再生的新型能源成为的重要课题.太阳能是可再生能源首选；低成本,高效率,高稳定性的太阳能电池,成为目前研究的热点.特别是有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(PSCs),以其低成本,高效率等优势引起众多研究者的关注.200
硒化锑(Sb2Se3)化合物具有物相单一稳定、吸收系数高、禁带宽度合适、组成元素地壳丰度高等优点,是一种很有潜力的无机化合物薄膜太阳电池光吸收层材料[1,2].硫化镉(CdS)是一种优良的缓冲层材料,对整个器件的转换效率提升起着非常重要的作用.本报告着重介绍课题组在含CdS基缓冲层的Sb2Se3太阳电池方面的研究进展：1、溅射制备CdS缓冲层：水浴法(CBD)制备的CdS/Sb2Se3电池存在杂质