【摘 要】
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实验采用频率为40.68MHZ的等离子体化学气相沉积设备制备了大面积三结硅锗电池，其顶电池p层采用p-SiOx：H材料。并通过调节r(CO2/SiH4)来调节顶电池p层的氧含量，以提高电池的开路电压，增加光的透过，提高电池的性能。对电池层压后进行光致衰变实验，发现当r(CO2/SiH4)为2时，电池的功率和填充因子以及转换功率均达到最大值。而且光照698h后的衰减率最小，为12.5％。
【机 构】
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北京工业大学,北京100124 汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200
【出 处】
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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
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实验采用频率为40.68MHZ的等离子体化学气相沉积设备制备了大面积三结硅锗电池，其顶电池p层采用p-SiOx：H材料。并通过调节r(CO2/SiH4)来调节顶电池p层的氧含量，以提高电池的开路电压，增加光的透过，提高电池的性能。对电池层压后进行光致衰变实验，发现当r(CO2/SiH4)为2时，电池的功率和填充因子以及转换功率均达到最大值。而且光照698h后的衰减率最小，为12.5％。
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