石墨烯作为一种二维薄膜材料,从发现至今,其制备、性能及应用都受到了极大的关注。相比于其他的石墨烯制备方法,化学气相沉积法(CVD)在制备大尺寸高质量的石墨烯薄膜上具有极大潜力。而金属镍作为化学气相沉积方法中应用最为广泛的过渡金属之一,它能够催化生长得到较高质量的石墨烯薄膜。本文中我们通过电子束蒸发法在石英玻璃的表明沉积得到镍薄膜,并研究了镍薄膜厚度及生长时间对CVD法石墨烯生长的影响。实验结果表明,镍薄膜的厚度及生长时间均对石墨烯的生长极为重要。镍薄膜厚度过小时,容易在石英基材表明发生去湿现象,进一步的Ostwald熟化使得镍在石英表面凝聚成小颗粒;而当镍薄膜厚度较大时,退火过程中引入较大应力使得镍薄膜极易从基材表面剥落。另外,当生长时间过短时,石墨烯在镍表面难以形成完美结晶,而生长时间过长,则容易生长为三维石墨,而非石墨烯。因此,适当厚度的镍薄膜及生长时间是制备得到大尺寸高质量石墨烯薄膜的前提,为石墨烯进一步的实际应用提供了有效参考。