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近年来,随着世界工业化进程的加速,能源短缺和环境污染逐渐成为当今社会发展所面临的重要问题.半导体光催化技术是解决当前问题的重要途径之一.而ZnO 作为半导体光催化材料之一,具有十分优异的紫外吸光性能和合适的导带价带位置.但由于其直接带隙的能带结构导致了电子空穴的复合效率较高.因此,如何提高其电子空穴的分离效率是进一步提升光催化性能的关键.