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在本研究中，选取热丝CVD方法，采用硅烷、乙炔和氢气作为气源，制备出了立方晶系纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜。研究发现不同钨丝温度对薄膜的成分结构和光学性能有显著的影响。分析表明。随着钨丝温度(TF)由1 600℃升高至2 000℃，薄膜的成分结构由微晶硅向纳米晶碳化硅方向转变。同时还研究了纳米晶碳化硅薄膜的n型和p型掺杂特性，通过霍尔效应测试分析对p-nc-SiC薄膜的电学性能进行优化。在上述结果的基础上，讨论了高掺杂效率的碳化硅薄膜用于太阳能电池窗口层和异质结电池的可行性。