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ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中的p型N掺杂有显著的增强作用,同时也可显著减小其掺杂激活能,从而可能有助于解决ZnO中p型掺杂这一难题。
TeN共掺ZnO薄膜的高温真空退火研究
【摘 要】
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ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室,南京,210093
【出 处】
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第五届届全国氧化锌学术会议
【发表日期】
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2011年11期
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