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目的 观察磁刺激对大鼠缺氧缺糖神经元形态及Robo2、RhoA 表达的影响,探讨磁刺激对缺氧缺糖神经元轴突再生的影响及可能机制.方法 原代培养皮质神经元,分为正常组(control,C)、缺氧缺糖(Oxygen/Glucose Deprivation,OGD) 组、假刺激(shame,S)+ 缺氧缺糖组、40％ 最大输出强度(40％ ofmaximum intensity of stimulation,M1)+ 缺氧缺糖组、60％ 最大输出强度(60％ of maximum intensity ofstimulation,M2)+ 缺氧缺糖组.各刺激组自细胞接种后第2-6 天接受磁刺激,连续刺激5 天；各组细胞于第6 天相同时间取材.采用倒置显微镜每日定时观察各组细胞生长形态,RT-PCR 检测各组细胞Robo2、RhoA 的表达.结果 缺氧缺糖损伤后,神经细胞突起较正常组细胞渐渐缩短,细胞折光性下降,而Robo2、RhoA 的表达高于正常组(P＜0.05)；40％、60％ 强度组较OGD 组大部分细胞突起长出,部分突起连接形成神经网络,而Robo2 的表达高于OGD 组(P＜0.05)、RhoA 的表达低于OGD 组(P＜0.05).结论 磁刺激通过抑制受损神经元RhoA 的表达,上调Robo2 的表达,而促进受损神经元轴突再生,可能是磁刺激促进受损神经元轴突再生的机制之一.