【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Si原子在TiAl3中的格点取代行为。通过对不同原子被置换后的c/a值、形成能以及电子态密度的计算和比较,发现Si原子倾向于取代Ti
【机 构】
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上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200240
【出 处】
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2008中国材料研讨会—计算材料分册
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Si原子在TiAl3中的格点取代行为。通过对不同原子被置换后的c/a值、形成能以及电子态密度的计算和比较,发现Si原子倾向于取代TiAl3中的Al原子,其取代行为主要由系统的电子结构决定,计算结果与实验相符。为了进一步研究Si原子的取代行为,对Si原子占据的格点以松散或紧凑分布下体系的总能、形成能以及电子态密度进行了计算,结果表明Si原子倾向于取代TiAl3中松散分布的Al(2)原子。对c/a值的计算表明,随Al(2)格点Si原子浓度的增加,c/a值逐渐增大;而当Si取代Al(1)格点时,c/a值随Si原子浓度的增加而减小。研究表明,Si在TiAl3中的极限固溶度介于12.5at[％]-18.75at[％]之间。
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