介绍在蓝宝石衬底制作二维光子晶体以提高GaN基LED的外量子效率的研究。衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息和ICP干法刻蚀技术制作，然后采用MOCVD外延技术在带结构蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚n型GaN层、4层量子阱、和200nm厚p型GaN层，形成LED器件。实验中衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构，晶格常数为3.8μm，刻蚀深度为800nm。器件输出测试结果显示在PSS上制作的LED(PSS-LED)的发光强度普遍高于衬底未做结构的LED，平均强度提高了100％。在PSS和平面衬底上GaN层的(0002)晶面采用X射线测得的衍射摇摆曲线显示，PSS上的GaN晶体质量并没有提高，表明外量子效率显著提高的PSS-LED不是由于内量子效率的提高所致，而可能是由于二维光子晶体产生的散射作用导致提取效率的提高。