【摘 要】
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本文主要研究通过Sb取代Nb的8层六方钙钛矿Ba8Ti3Nb4-xSbxO24(x=0～2)陶瓷的微波介电性能以及其紫外可见波段下的禁带宽度.采用传统的高温固相合成法制备了高介电常数,低介
【机 构】
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桂林理工大学广西有色金属及特色材料加工省部共建国家重点实验室培育基地,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西桂林541004
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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本文主要研究通过Sb取代Nb的8层六方钙钛矿Ba8Ti3Nb4-xSbxO24(x=0～2)陶瓷的微波介电性能以及其紫外可见波段下的禁带宽度.采用传统的高温固相合成法制备了高介电常数,低介电损耗的Ba8Ti3Nb4-xSbxO24(x=0～2)系列陶瓷.当x从0到1.5,在1420℃下烧结6h的Ba8Ti3Nb4-xSbxO24陶瓷可以获得8层六方钙钛矿结构的单一相；当x=2的时候,可以检测到第二相Sb2O3.测试了纯相的Ba8Ti3Nb4-xSbxO24(x=0～1.5)陶瓷粉体在紫外可见波段下的禁带宽度能级,发现随着x的增加,Ba8Ti3Nb4-xSbxO24粉体的禁带宽度能级逐渐增加,其禁带宽度从3.38eV增加至3.47eV.在微波频段范围,介电损耗与导电性成正比关系,所以Ba8Ti3Nb4-xSbxO24(x=0～1.5)禁带宽度的逐渐增加,有可能是导致该系列陶瓷品质因数逐渐增加的原因之一.随着Sb取代量的逐渐增加,陶瓷的最佳烧结温度从1460℃降至1380℃,品质因数有效地从22,900GHz提高至38,000GHz,并且谐振频率温度系数显著地从110ppm/℃降低至2ppm/℃,然而其介电常数从49降至35.
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