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本文提出一种带时钟控制的动态CMOS锁存比较器结构，引入了交叉耦合负载，复位、钳位技术，获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.5um CMOS高压工艺，电源电压为-5V~5V，10MHz时钟频率下，失调电压2uV，比较精度50uV，适用于MEMS加速度计数字读出电路的低频应用。
MEMS加速度计数字读出电路低功耗比较器的设计
【摘 要】
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本文提出一种带时钟控制的动态CMOS锁存比较器结构，引入了交叉耦合负载，复位、钳位技术，获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.5um CMOS高压工艺，电源电压为-5V~5V，10MHz时钟频率
【机 构】
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中国科学院声学研究所,北京,100190
【出 处】
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2010中国西部地区声学学术交流会
【发表日期】
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2010年期
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