【摘 要】
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碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文报道了使用超高真空化气相沉积法（ＵＨＶ－ＣＶＤ）生长硅基碳化硅薄膜，使用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了研究。
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