【摘 要】
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通过测量磁隧道结Py/CoFe(t)/AlO/Py的TMR随CoFe楔型薄膜厚度的变化关系,观察到TMR随CoFe厚度增加而缓慢趋近饱和,也就是发现至少10层CoFe对磁隧穿有贡献而不是一般认为的第
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会
论文部分内容阅读
通过测量磁隧道结Py/CoFe(t)/Al<,2>O<,3>/Py的TMR随CoFe楔型薄膜厚度的变化关系,观察到TMR随CoFe厚度增加而缓慢趋近饱和,也就是发现至少10层CoFe对磁隧穿有贡献而不是一般认为的第一层,这表明不是所有的磁隧穿现象都是由界面主导的.由此我们提出了磁隧道结中自旋相关隧穿的体效应模型,并且指出磁隧道结中的磁隧穿过程存在一个特征长度,我们称之为自旋相关隧穿特征长度.拟和实验数据得到自旋相关隧穿特征长度对CoFe约为0.8nm.
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