【摘 要】
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本文介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实验测量了N80C196KC20单片机芯片X射线辐射剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行了X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量约在165Gy(S
【机 构】
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中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳919-522信箱,621900
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
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本文介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实验测量了N80C196KC20单片机芯片X射线辐射剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行了X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量约在165Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.
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