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本文采用离子束辅助沉积法在单晶硅片进行沉积制备了TiN/Si<,3>N<,4>纳米复合超硬薄膜,研究了辅助束流轰击能量和Ti/Si靶面积比等工艺参数对TiN/Si<,3>N<,4>纳米复合超硬薄膜性能的影响.
离子束辅助沉积制备TiN/SiN纳米超硬膜的工艺研究
【摘 要】
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本文采用离子束辅助沉积法在单晶硅片进行沉积制备了TiN/SiN纳米复合超硬薄膜,研究了辅助束流轰击能量和Ti/Si靶面积比等工艺参数对TiN/SiN纳米复合超硬薄膜性能的影响.
【机 构】
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装备再制造技术国防科技重点实验室(北京)
【出 处】
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2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议
【发表日期】
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2004年9期
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