【摘 要】
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本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难
【机 构】
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上海交通大学微纳米科学技术研究院(上海)
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本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难于控制.本文以30μm厚的SU-8为例,详细讨论了前烘温度和时间、曝光时间、中烘温度和时间、显影方式和时间这四个控制要素对光刻胶图形质量的影响.得到的SU-8光刻胶图形侧壁外形陡直,深宽比大(>10),分辨率高(可制出线宽为5μm,甚至2μm的图形),与衬底的附着性强,有望为MEMS提供低成本LIGA型应用.
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