【摘 要】
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采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约20nm)有利于薄膜沿(001)取向生长,Ag的加入不但抑制CoPt颗粒的长大还可以诱导薄膜的(001)取向,使退火后的薄膜在垂直于膜面方向上的矫顽力大大增强.制备的薄
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院(武汉) 香港中文大学电子工程系(香港)
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采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)<,n>多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约20nm)有利于薄膜沿(001)取向生长,Ag的加入不但抑制CoPt颗粒的长大还可以诱导薄膜的(001)取向,使退火后的薄膜在垂直于膜面方向上的矫顽力大大增强.制备的薄膜经600℃退火后其XRD图已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.01kA/m,并且磁滞回线具有很好的矩形度,剩磁比S为0.92.
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采用目视法和金相法研究了新型高强Al-Mg合金材料在航空工业环境下的抗剥蚀和晶间腐蚀的行为,并对其剥层腐蚀和晶间腐蚀行为进行了评价.初步探讨了铝合金发生晶间腐蚀倾向与剥蚀的联系.结果表明,在航空工业腐蚀环境中,新型高强Al-Mg合金没有发现明显的剥层腐蚀行为,而且也没有明显的晶间腐蚀倾向行为,具有良好的耐腐蚀行为.
半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的.TaO系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一.本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷TaO-TiO晶体点阵结构:a=0.391nm,b=0.384nm,c=1.863nm,α=83.8°,β=95.9°,γ=88.5°.这种结构沿[110]方向在(11
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