【摘 要】
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采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍
【机 构】
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Semiconductor Materials Science Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Be
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现,拉曼散射结果表明离子注入引入的晶格缺陷不能通过快速热退火完全消除。GaN：Yb样品退火后都表现出室温铁磁性,p-型掺杂有助于增强其铁磁性能。
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