论文部分内容阅读
近年来BiVO4作为一种高活性的产氧半导体受到人们的广泛关注。然而它也存在电子-空穴复合率高，水氧化动力学缓慢等缺点。我们利用铜信封法成功的将石墨炔生长在BiVO4的表面，构筑了GDY/BiVO4杂化光阳极。研究发现在空穴牺牲剂存在时，石墨炔的引入能够迅速的提取BiVO4表面的光生空穴，促进钒酸铋表面的光生电荷分离，从而大大的提高BiVO4的产氧活性。