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电子辐照在单晶硅中引入VO,VO2等复合体.这些复合体会在禁带中引入受主能级,使载流子浓度下降。辐照剂量越大，引入的辐照缺陷浓度越大,其中引入的VO复合体的浓度与(剂量)m成正比。
电子辐照对硅单晶性能的影响
【摘 要】
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电子辐照在单晶硅中引入VO,VO2等复合体.这些复合体会在禁带中引入受主能级,使载流子浓度下降。辐照剂量越大，引入的辐照缺陷浓度越大,其中引入的VO复合体的浓度与(剂量)m成正
【机 构】
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天津市技术物理研究所 天津 300192
【出 处】
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第九届中国核学会“核科技、核应用、核经济(三核)”论坛
【发表日期】
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2012年期
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