【摘 要】
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SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了一种具有埋沟结构的离子注入外延型SiCIG
【机 构】
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School of Automation and Information Engmeermg,Xi'an University of Technology, Xi'an, 710048,China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了一种具有埋沟结构的离子注入外延型SiCIGBT,这种SiCIGBT的P阱是由一层高浓度的离子注入P+层和一层低浓度的P-外延层组成,其沟道区是通过氮离子注入在P-外延层的表面形成的N型埋沟结构。通过利用计算机模拟软件SILVACO TCAD,并建立合适的载流子迁移率模型,主要研究了这种SiC IGBT在不同数目的界面电荷以及不同程度的界面粗糙的情况下沟道载流子迁移率,并与传统的结构进行了对比。通过优化器件的结构及参数,得出这种SiC IGBT的阻断电压为IIOOV,通态比电阻为9.8nΩcm2,其表面沟道电子迁移率为传统结构的2.6倍。
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