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针对真空压力传感器的硅-硅键合特点,开展硅-硅键合技术研究,得到一种有效的真空硅-硅键合方法,该方法用于真空压力传感器的研制中,有效键合面积达到90﹪以上,为真空压力传感器的研制打下了基础.
真空压力传感器的硅-硅键合技术研究
【摘 要】
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针对真空压力传感器的硅-硅键合特点,开展硅-硅键合技术研究,得到一种有效的真空硅-硅键合方法,该方法用于真空压力传感器的研制中,有效键合面积达到90﹪以上,为真空压力传感器的研制打下了基础.
【机 构】
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重庆大学光电工程学院(重庆) 四川固体电路研究所(重庆)
【出 处】
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第五届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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