随着能源消耗和全球气候变暖的加剧,将二氧化碳还原成碳氢化合物是缓解能源危机和改善环境的方法之一。一种可行的方法是光催化剂通过利用太阳光能量将二氧化碳转化为一氧化碳再次利用。NiO是典型的p型半导体,具有超空穴迁移率、高效率和高光学性质等特性引起研究者的关注,NiO材料成本低,是常用的空穴传输材料,在催化方面显示优越的性质。但NiO带隙较宽,常与n型半导体掺杂构筑p-n异质结,阻止光生电子-空穴复合,从而提高其光催化活性。本文采用水热法制备的薄片状NiO,以及模板法制备的g-C3N4,充分混合研磨后,在300℃煅烧4h,以提高NiO的光催化性能。利用TEM、XRD、FT-IR、UV-Vis、XPS等手段表征复合材料的形貌、晶型、官能团结构、吸收光性能、元素组成及价态等光电化学性质。以CO2作为反应分子,探究NiO/g-C3N4复合光催化剂在太阳光下对CO2的光催化还原性能。实验结果表明,其中以NiO含量为50 wt%的NiO/g-C3N4的光催化剂催化效果最佳,CO平均产率为1.87μmol·g-1·h-1。