Sn掺杂In2O3(ITO)透明导电薄膜具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射率等独特物理性能，同时对微波表现出较强衰减作用，因而在静电屏蔽、电磁波屏蔽及红外隐身等军事领域显示出巨大的应用价值.在实际应用中，除优异的综合光电性能外，各类武器系统及电子设备还要求ITO薄膜具有出色的附着强度以适应恶劣战场环境及载荷环境的使用要求.因此，对ITO薄膜附着性能的研究就具有重要的理论及实际意义.本论文利用离子辅助电子束蒸发技术在不同沉积速率下制备了ITO薄膜，并通过纳米划入测试技术系统研究了薄膜与玻璃基底的膜-基结合强度，结果表明：ITO薄膜的膜-基结合强度随沉积速率的升高而降低.1(A)/s及2(A)/s速率下沉积的ITO薄膜在纳米划入测试中均未发生膜-基界面失效现象；3(A)/s及4(A)/s速率下沉积的ITO薄膜在压针法向载荷及切向力作用下发生膜-基失效现象，薄膜由基片表面被剥离，失效点临界载荷分别为16.8 mN及12.5 mN.透射电子显微镜表征结果显示，不同沉积速率下制备的ITO薄膜在沉积初期具有不同的形貌及微结构特性.与纳米划入表征对比分析的结果说明薄膜沉积初期微结构特性对薄膜膜-基结合强度具有重要影响.