论文部分内容阅读
HfOx and TaOx based resistive RAM by molecular beam epitaxyfrom oxygen engineering to a future non-v
【作 者】
:
【机 构】
:
InstituteofMaterialsScience,TechnischeUniversit(a)tDarmstadt,Alarich-Weiss-Str.2,64287Darmstadt,Germ
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年10期
其他文献
Conducting LaAlO3SrTiO3 heterointerfaces on atomically-flat substrates prepared by deionized-water a
会议
会议
会议