【摘 要】
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采用有限积分法分析了可见光入射薄膜太阳能电池时，电池中金属纳米栅与半导体界面的场分布与能流密度分布，并结合实际太阳光谱分布，提出一种分析太阳能电池陷光能力的计算方法。利用该方法对金、银、铜、铝金属纳米栅的形状与几何参数变化条件下所激发的表面等离激元产生的陷光效果进行了系统研究。结果表明太阳能电池中采用金属纳米栅结构电极可以提高太阳光的有效吸收率；对金属立方栅、锯齿栅以及圆柱栅结构分析结果表明，采用
【机 构】
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哈尔滨理工大学工程电介质国家重点实验室培育基地,黑龙江哈尔滨150080;哈尔滨理工大学电子科学与技术系,黑龙江哈尔滨150080
【出 处】
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第十届全国激光技术与光电子学学术会议
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采用有限积分法分析了可见光入射薄膜太阳能电池时，电池中金属纳米栅与半导体界面的场分布与能流密度分布，并结合实际太阳光谱分布，提出一种分析太阳能电池陷光能力的计算方法。利用该方法对金、银、铜、铝金属纳米栅的形状与几何参数变化条件下所激发的表面等离激元产生的陷光效果进行了系统研究。结果表明太阳能电池中采用金属纳米栅结构电极可以提高太阳光的有效吸收率；对金属立方栅、锯齿栅以及圆柱栅结构分析结果表明，采用立方栅结构时陷光效果最好，而且利用铜材料立方栅格结构的陷光效果最佳。
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