【摘 要】
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在这篇文章中,我们利用一种简单快速的氧化方法合成了金纳米粒子与聚吡咯的核壳复合材料。基于这种复合材料的器件具有可持续的负微分电阻 [1,2] 和记忆存储效应,而且有
【机 构】
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苏州大学功能纳米与软物质研究院,江苏省苏州市工业园区仁爱路199号,215123
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在这篇文章中,我们利用一种简单快速的氧化方法合成了金纳米粒子与聚吡咯的核壳复合材料。基于这种复合材料的器件具有可持续的负微分电阻 [1,2] 和记忆存储效应,而且有很高的稳定性,在超过 2000 次的读写后,电流值变化很小。我们认为这种记忆存储效应是由于金纳米粒子与聚吡咯之间的电荷转移。此外,负微分电阻现象的出现是位于金纳米粒子陷阱中电子之间的库伦排斥作用造成的。而且,通过调节聚吡咯的厚度可以调控负微分电阻效应和记忆存储性能。这种既具有记忆存储性能又有可控的负微分电阻效应的器件在未来的记忆存储和逻辑[3]装置中将有很大前景。
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