【摘 要】
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本研究主要是以电浆电弧为加热源蒸发氧化硼靶材,并以气凝合成法合成氮化硼奈米管。藉由电浆电弧的气凝合成机制,分别探讨压力及靶材成分添加石墨或钨对氮化硼奈米管合成结构
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本研究主要是以电浆电弧为加热源蒸发氧化硼靶材,并以气凝合成法合成氮化硼奈米管。藉由电浆电弧的气凝合成机制,分别探讨压力及靶材成分添加石墨或钨对氮化硼奈米管合成结构之影响。研究结果显示,氧化硼靶材中不论添加石墨棒或钨块,其氮化硼奈米管的数量都与真空腔体压力成反比,此现象在压力400了orr时,奈米管数量最多,至200Torr接近饱和。此外藉由穿透式电子显微镜与X光绕射分析结果可得知氮化硼奈米管结构,其晶格平均间距(d-spacing)为0.322nm,晶面则是以(211)的晶面成长,其成长机制则可透过气-固相(Vapor-Solid,VS)模式成长。
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