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本文应用溅射、蒸发及后硒化相结合的方法制备Cu(In,Ga)Se<,2>薄膜,在预处理后的玻璃衬底上,溅射、蒸发Mo,Ga,Cu,In薄膜后,再进行硒化处理,得到均质的Cu(In,Ga)Se<,2>薄膜.
CIS薄膜的制备方法及其光电特性研究
【摘 要】
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本文应用溅射、蒸发及后硒化相结合的方法制备Cu(In,Ga)Se薄膜,在预处理后的玻璃衬底上,溅射、蒸发Mo,Ga,Cu,In薄膜后,再进行硒化处理,得到均质的Cu(In,Ga)Se薄膜.
【机 构】
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南开大学光电所(天津)
【出 处】
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中国太阳能学会2001年学术会议
【发表日期】
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2001年期
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