Zr掺杂对多铁材料BiFeO3结构、缺陷及电磁性能的影响

来源 :第十三届全国正电子谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiazaiyigeshishi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  采用固相反应法结合快速液相烧结技术制备了BiFe1-xZrxO3多铁陶瓷样品,研究了Zr掺杂对BiFeO3结构、缺陷与电磁性能的影响.XRD测试表明,适量Zr掺杂能消除杂相,掺杂量为0.20时产生了结构相变.SEM测试表明,Zr掺杂抑制了晶粒生长.正电子寿命谱测试表明,所有样品中均存在空位型缺陷,Zr掺杂对样品缺陷的尺寸和浓度具有较大影响.电磁学性能测试测试表明,Zr掺杂能提高BiFeO3的漏电特性、铁电性;Zr掺杂使BiFeO3由反铁磁性转变为弱铁磁性,并提高了样品的磁学性能.随Zr掺杂量的增加,漏电流与空位浓度具有相反的变化趋势,而磁性与空位浓度具有相同的变化趋势,这表明阳离子空位是影响BiFeO3电磁性能的重要因素之一.
其他文献
会议
  GaAs作为近年来应用于光电器件及探测器等领域的重要材料,它的光学电学等物理特性在很大程度上受到其晶体结构及缺陷的影响。有意或无意的粒子辐照都可能引入包括点缺陷,位
  反应堆压力容器(RPV)钢是核电站一回路冷却剂边界处不可替换的关键部件,其在高温高压高辐照条件下的使用寿命决定了整个核电站的服役寿命,RPV钢经中子辐照后引起的脆化效
  纳米MgO和ZrO2作为不同的纳米陶瓷材料都具有良好的抗辐照性能,而MgO/ZrO2纳米复合陶瓷相对于单相纳米陶瓷具有更优异的综合性能。本文采用正电子寿命谱和XRD对MgO/ZrO2
  在核能领域和储氚材料的研究中,通过核反应以及氚衰变产生的He会严重影响到相关材料的安全性能和使用寿命,因此,金属中He行为及He相关缺陷的演化成为当前备受关注的问题
  CuO/ZnO nanocomposites with proportion of 4 at% CuO were annealed in air at various temperatures between 100℃ and 1200℃ to get Cu-doped ZnO nanocrystals.X
  本文利用正电子湮没寿命及多普勒展宽测量研究了Ag含量分别为1wt%、5wt%和15wt%的三种二元AlAg合金在时效过程中微观结构的演化.在经过固溶处理后的自然时效过程进行了实时
  基于二成分密度泛函理论(Two-component density functional theory),用中性原子叠加模型(ATSUP)的方法,计算了层状SnSe和笼状CoSb3,Ba8Ga16Ge30空位缺陷体系中的正电子
  磁性半导体材料由于在自旋电子器件中潜在的应用前景,引起了广大科研工作者极大的兴趣.对于铁磁性来源问题,部分研究者认为与微结构特征有关,例如纳米团簇颗粒表面的的阴
  以有序介孔二氧化硅SBA-15为模板,TiCl4为前驱体,通过纳米浇铸法制备出高度晶化的有序介孔二氧化钛.通过广角XRD可知,制备得到的介孔二氧化钛为锐钛矿和金红石混合晶相.