【摘 要】
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超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054华虹-NEC电子有限公司,上海201206
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半超结VDMOS器件、具有肖特基接触结构的超结VDMOS、氧化层旁路VDMOS、浮岛型VDMOS等的研究进展，并进一步研究了超结结构VDMOS的制备工艺。
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