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采用高温熔融法制备了Mn2+掺杂的ZnO-B2O3-SiO2（ZBSM）体系的光存储玻璃，并通过热释光谱研究了ZBSM玻璃的存储性能以及陷阱能级的分布情况，结果显示：材料内部至少存在中心能级的深度分别约为0.80eV和1.02eV的两种陷阱，而激活离子Mn2+和基质组成ZnO-B2O3-SiO2的变化均会造成材料光存储性能及陷阱分布的改变。