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GeSbTe薄膜的原位电子显微学研究
GeSbTe薄膜的原位电子显微学研究
来源 :2012年全国电子显微学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jql002
【摘 要】
:
本文利用原位透射电子显微学技术,对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究,揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。
【作 者】
:
谷立新[1]刘显强[1]张斌[1]韩晓东[1]张泽[2]
【出 处】
:
2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
:
2012年期
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本文利用原位透射电子显微学技术,对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究,揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。
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