【摘 要】
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SOI(Silicon On Insulator)材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI-CMOS(Complementary Metal-Oxside-Se
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875;射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京市辐射中心
【出 处】
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2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会
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SOI(Silicon On Insulator)材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI-CMOS(Complementary Metal-Oxside-Semiconduator)电路,实现了完全介质隔离,具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点.因而受到世界各发达国家的高度重视.离子注入SOI材料,是把氧或氮注入硅单晶中形成绝缘埋层二氧化硅或氮化硅:即形成SIMOX(Separation by IMplamted OXygen)或SIMNI(Separation by Implamted Nitrogen)材料,顶层硅仍保持单晶硅的性能.这种材料不但比SOS(Siliconon Sapphire)便宜,而且性能好,完全可以满足制作SOI电路的要求.在集成电路领域,SOI材料是研制高速、高可靠、抗辐照集成电路的最理想的材料,SOI-CMOS电路将广泛应用卫星和导弹的控制系统中.本文介绍了离子注入SOI材料的制备、性能及应用.
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