【摘 要】
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Bi2Ti2O7薄膜具有较高的介电常数和低的漏电流,可用于动态随机存储器或用作MOS(metal oxidesemiconductor) 器件的栅绝缘层；同时,一定量的稀土离子掺杂既能稳定烧绿石相又
【机 构】
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中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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Bi2Ti2O7薄膜具有较高的介电常数和低的漏电流,可用于动态随机存储器或用作MOS(metal oxidesemiconductor) 器件的栅绝缘层；同时,一定量的稀土离子掺杂既能稳定烧绿石相又可作为发光中心.已有研究表明一些稀土离子(如Er离子)的上转换发光在三维显示器、荧光成像、红外探测器等方面有良好的应用前景.我们采用脉冲激光沉积法在透明导电衬底上制备了高电容密度、低介电损耗的Bi1.9Er0.1Ti2O7薄膜,研究了沉积温度对薄膜的介电性能及上转换发光的影响.结果显示,当沉积温度由500℃上升到600℃时,薄膜的电容密度(1kHz,200kV/cm时)由729nF/cm2增加到783nF/cm2,且介电损耗都小于0.025.其电容密度在直流偏压下具有较好的稳定性,在±200kV/cm的电场下,电容密度的变化小于1.0％.薄膜在较宽的温度范围内(-110℃～180℃)表现较稳定的介电性能,其电容温度系数小于120ppm/℃.同时,这些薄膜具有较好的上转换发光性能和较高的透明度,在透明光电器件中可能得到应用.
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