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我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中,器件最短的截止波长为307nm,紫外/可见光(UV/visible)达到103以上。
AlGaN紫外光探测器
【摘 要】
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我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型
【机 构】
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北京大学,物理学院,人工微结构与介观物理实验室,北京,100871
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年期
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