【摘 要】
：
扬声器系统在不同使用声压级，不同的使用环境和播放不同音乐都可能对音色表现有不同的要求。本文尝试通过一个基本达到“高保真扬声器系统最低性能的要求”的扬声器系统的设计，进行其不同使用声压级时依据主观听感的需求调整其频率响应特性的实验。结过是该扬声器系统通过调整后能适应不同声压级的使用要求，并分析和总结出不同状态下该扬声器系统的不同频率响应特性及其特征。
论文部分内容阅读
扬声器系统在不同使用声压级，不同的使用环境和播放不同音乐都可能对音色表现有不同的要求。本文尝试通过一个基本达到“高保真扬声器系统最低性能的要求”的扬声器系统的设计，进行其不同使用声压级时依据主观听感的需求调整其频率响应特性的实验。结过是该扬声器系统通过调整后能适应不同声压级的使用要求，并分析和总结出不同状态下该扬声器系统的不同频率响应特性及其特征。
其他文献
利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO薄膜的晶粒尺寸有所增加,结晶质量有所提高.
采用金属有机化学气相沉积(MDCVD)方法在Si衬底上制备了NiO薄膜,扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射(XRD)分析显示,随着温度的升高NiO薄膜晶体质量得到了进一步的改善,并呈现(200)择优取向的趋势。紫外-可见分光光度计(UV)测试结果表明,随着温度的升高,NiO薄膜的平均透过率也得到了提高,其中400nm附近最高透过率为96％,通过线性外推作图法得到NiO薄膜的禁带宽度大约为3.70
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为(0002)面单一取向;但相较于使用O2氧源,改用NO氧源后,ZnO薄膜的晶体质质量得到了提高.(0002)面衍射峰的半峰宽由0.201°减小到0.192°,晶粒平均尺寸则由40.2皿增大到42.8nm。SEM测试结果显示,采用NO作氧源时,ZnO薄膜内的
采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃、20Pa氧分压下得到高质量的MgNiO薄膜.研究了Mg含量对MgNi0薄膜禁带宽度的影响,发现Mg0.4Ni0.6O薄膜的禁带宽度达到5.15 eV,可应用于日盲区紫外探测。
本文报道了分子束外延技术生长InAs/GaSb超晶格探测器材料及其结构、表面和光学性能研究。我们采用相衬光学显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X-射线双晶衍射等方法全面研究和分析了InAs/Gasb薄膜的性能,在此基础上优化了InAs/Gasb超晶格材料的分子束外延生长参数,获得了具原子级平整的、与Gasb衬底完美匹配的InAs/Gasb超晶格材料。获得了截止波长分别为中波和长波的红外探测器材
本文报导了窄脊条、205K下连续工作的7.7μmInP基分布反馈量子级联激光器(DFB QCLs)。该60级InP基DFB QCL采用气态源分子束外延原子层技术生长,通过降低激光器脊条的宽度和采用电镀厚膜金属电极的方法改善激光器的散热特性,研制出波长为7.7μm腔面未镀膜的分布反馈晕子级联激光器,激光器裸管的连续工作温度最高达到205K,150K下的最高工作功率达到30mW,边模抑制比为30dB,
利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)和6.8V。老化实验的结果表明:器件阈值电流的上升与内量子效率的下降紧密相关。本文还优化了蓝光激光器的波导结构,实现了国内首支蓝光激光器的室温脉冲电注入激射,激射波长为445nm。
以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显
随着对声表面波器件的不断深入研究,人们提出了用声表面波器件作为高明敏度传感器的构想。基于ZnO半导体纳米线对紫外光良好的紫外光电效应,我们提出了一种将ZnO纳米线和声表面波滤波器结构结合起来的高精度紫外探测器。这种紫外探测器是通过在以128°YX-LiNbO3为基底的声表面波滤波器传输卢路上涂覆一层ZnO纳米线紫外敏感膜制备而成。声表面波滤波器的中心频率为50.882MHz,涂膜后的声表面波滤波器