掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS)膜钝化技术及应用

来源 :第五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pamfdpv007
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掺氧半绝缘多晶硅膜具有半绝缘性和电中性,用SIPOS膜进行表面钝化可屏蔽外电场和表面电荷的影响。该文分析了SIPOS的钝化原理,利用SIPOS膜和SiO〈,2〉膜双层结构钝化PN结二极管,明显提高了击穿电压,减小了漏电流。
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