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电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究
电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究
来源 :第三届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:clxzzx
【摘 要】
:
采用电子束熔炼对98.8%的工业硅进行提纯,研究电子束熔炼参数的变化对各种杂质元素的去除效果,同时分析熔炼后杂质元素在硅锭上的分布状态。实验结果表明。电子束熔炼对硅中的主
【作 者】
:
谭毅
姜大川
徐云飞
董伟
王强
彭旭
【机 构】
:
大连理工大学材料学院,大连,116023
【出 处】
:
第三届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会
【发表日期】
:
2009年期
【关键词】
:
电子束熔炼
熔炼时间
多晶硅
杂质去除
杂质元素
去除效果
分布状态
工业硅
提纯
实验
硅锭
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采用电子束熔炼对98.8%的工业硅进行提纯,研究电子束熔炼参数的变化对各种杂质元素的去除效果,同时分析熔炼后杂质元素在硅锭上的分布状态。实验结果表明。电子束熔炼对硅中的主要杂质都有一定的去除效果,对P、Ca、Al效果较为明显,熔炼时间越长效果越好。
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