【摘 要】
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在2英寸Mg0(001)单晶基片上采用双倒筒靶溅射系统生长双面YBCO高温超导薄膜.通过单轴驱动双轴旋转技术实现了基片两面的同时原位沉积.制备出均匀性良好的薄膜,同时保持了较高
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054
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在2英寸Mg0(001)单晶基片上采用双倒筒靶溅射系统生长双面YBCO高温超导薄膜.通过单轴驱动双轴旋转技术实现了基片两面的同时原位沉积.制备出均匀性良好的薄膜,同时保持了较高的沉积速率.在分析了工艺参数和性能关系的基础上,考虑到MgO单晶基片容易潮解导致表面质量恶化,在薄膜沉积之前我们采用高温退火处理(900℃),明显提高了成品率.X射线衍射、原子力显微镜及扫描电子显微镜等分析结果表明MgO单晶基片上外延生长的YBCO双面高温超导薄膜具有良好的两面一致性,其临界电流密度Jc(77K10D≈4.0×10×A/Ccm2,微波表面电阻Rs(10GHz,77K1≈0.16mΩ.
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