【摘 要】
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磁光薄膜在集成光通讯器件方面有着很好的应用前景[1].随着光通讯技术的不断发展,对薄膜性能和质量也不断提出新的要求.CLNGG具有与Ce：YIG更为匹配的晶格常数,用其作为衬
【机 构】
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福州大学化学学院光功能晶态材料研究所,福州,350108
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磁光薄膜在集成光通讯器件方面有着很好的应用前景[1].随着光通讯技术的不断发展,对薄膜性能和质量也不断提出新的要求.CLNGG具有与Ce：YIG更为匹配的晶格常数,用其作为衬底材料有望获得更高质量和性能的Ce：YIG薄膜.本文采用Czochralski方法生长了CLNGG(Ca2.899Li0.304Nb1.926Ga2.757O12)和Li5La3Nb2O12掺杂的CLNGG(Ca2.382La0.568Li0.72Nb2.005Ga2.26 2O12,LCLNGG)单晶,并采用Rietveld方法对它们的结构进行精修,探讨了Li+、La3+和Nb5+离子的掺入对其结构的影响.为了优化晶体生长工艺,本文通过对不同生长条件下得到的CLNGG和LCLNGG晶体的质量进行对比分析.另外,对退火工艺引起晶体颜色变化的原因进行了分析.分别采用紫外-可见分光光度计和热膨胀分析仪测试晶片的透过光谱和热膨胀系数,发现其透过率高达80％以上,且CLNGG和LCLNGG晶体的热膨胀系数分别为(5.83×10-6K-1)和(5.62×10-6K-1),与YIG的热膨胀系数[2]接近,这些结果表明CLNGG和LCLNGG晶体是生长掺Ce铁石榴石晶体薄膜的很好的候选衬底材料.
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