【摘 要】
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近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加困难,AlGaN基紫外LED的效率急剧下降。如何制备较高量子效率和功率的紫外LED,成了当前急需解决的问题。本文通过金属有机物气相外延方法,在(0001)面蓝宝石衬底上成功地生长了
【机 构】
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福建省半导体材料及应用重点实验室厦门大学物理系 厦门 361005 台湾交通大学光电工程研究所 台
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近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加困难,AlGaN基紫外LED的效率急剧下降。如何制备较高量子效率和功率的紫外LED,成了当前急需解决的问题。本文通过金属有机物气相外延方法,在(0001)面蓝宝石衬底上成功地生长了以GaN/AlN量子点代替AlGaN量子阱作为有源区的紫外LED外延片,并首次制备了电致发光波长为308nm的GaN/AlN量子点紫外LED器件。变温光致发光及瞬态发光光谱测试表明,该器件具有较高的量子效率。变电流电致发光光谱及芯片温度测试表明,该器件具有良好的发光波长热稳定性。
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