基于气相输运沉积法对硫化锑薄膜太阳能电池的研究

来源 :第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenxiaoyi1988
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  硫化锑Sb2S3是一种新兴的薄膜太阳能电池吸收层材料,由于合适的带隙(~1.7eV)和高吸收系数(1.8×105cm-1)以及元素资源丰富和无毒特性而备受关注[1,2].本课题组采用气相输运沉积法制备了8b2S3薄膜太阳能电池并研究了蒸发源-衬底距离对Sb2S3薄膜太阳能电池性能的影响,实验发现通过优化蒸发源与衬底之间的距离将光电转换效率从0.83%提高到3.02%.图1(a)是制备8b2S3薄膜的系统示意图,图1(b)是光条件下不同蒸发源-衬底距离的5b2S3薄膜电池的J-V曲线.X射线衍射和扫描电子显微镜研究表明,最佳样品的Sb2S3薄膜具有最优的晶粒取向,结晶度和表面形貌.此外,通过暗条件下J-V测量对电流传输机制进行了详细分析,结果表明,最佳样品受Shockley-Read-Hall复合和空间电荷限制电流(SCLC)的影响最小.同时,变温Voc和变光强Voc的测量结果表明,在Sb253薄膜太阳能电池的CdS/Sb2S3界面,空间电荷区(SCR)和准中性区(QNR),最优性能的太阳能电池的载流子复合率都是最低的.这说明了通过调整蒸发源-衬底距离可能会增大晶粒大小,减少晶界从而降低载流子复合率,最终提高光电转换效率.该工作可以促进Sb2S3薄膜太阳能电池的进一步开发利用.
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